실리콘랩스, Si828x 버전 2로 절연형 게이트 드라이버 제품군 확장

새로운 Si828x, 전기차 및 다양한 산업용 애플리케이션에 최적화

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실리콘랩스 나스닥 SLAB

2021-05-18 13:10

서울--(뉴스와이어)--더 스마트하고 보다 연결된 세상을 위한 반도체, 소프트웨어 및 솔루션의 선도적인 공급회사인 실리콘랩스(Silicon Labs, 지사장 백운달)는 자사의 절연형 게이트 드라이버 제품군에 새롭게 Si828x 버전 2를 추가한다고 발표했다.

이로써 실리콘랩스는 보다 효과적으로 SiC(Silicon Carbide) FET(Field Effect Transistor) 게이트를 효과적으로 구동하는 절연형 게이트 드라이버 제품군을 통해 더 높은 전력 밀도와 보다 발열이 적은 작동 그리고 줄어든 스위칭 손실을 요구하는 하프-브리지 및 풀-브리지 인버터와 전원공급장치 시장에 대응할 수 있게 됐다.

실리콘랩스의 브라이언 미르킨(Brian Mirkin) 부사장 겸 전력 제품 총괄 매니저는 “Si828x 제품군은 하이브리드(HEV)/전기자동차(EV)와 산업용 애플리케이션에 이상적인 다양한 이점을 제공한다”며 “자동차 충전기 및 트랙션 인버터 설계 시 전력 스위칭 용도로 SiC FET를 사용하는 고객은 Si828x 특유의 견고한 게이트 드라이브, 강력한 불포화 오류 응답 그리고 효율을 높이는 밀러 클램프 조합을 통해 상당한 이점을 얻을 수 있다”고 말했다.

실리콘랩스의 게이트 드라이버는 SiC 솔루션의 선도적 공급회사인 울프스피드(Wolfspeed)와의 협력을 통해 울프스피드의 SiC MOSFET과 함께 테스트를 마쳤다.

울프스피드의 제이 카메론(Jay Cameron) 수석 부사장 겸 전력 제품 담당 총괄 매니저는 “전기차의 전력 변환 및 인버터 애플리케이션용으로 SiC 적용이 급속히 늘어나고 있다. SiC는 더욱 늘어난 주행거리와 더 빠른 충전 속도를 원하는 소비자들의 요구를 충족하기 때문”이라며 “SiC MOSFET에 최적화한 게이트 드라이버는 이들 애플리케이션에 대한 SiC의 영향을 극대화한다”고 밝혔다.

울프스피드의 SiC FET를 Si828x 제품군과 함께 사용하면 전력 및 변환 효율이 향상된다. 이는 배터리 셀 수를 줄이고, 전기 모터에 더 많은 전력을 공급하며 운영 비용을 낮출 수 있다는 것을 의미한다. 실리콘랩스의 Si828x와 울프스피드의 C3M 제품군을 포함하는 테스트 보고서와 이 테스트에 사용된 하프 브리지 레퍼런스 디자인에 대한 문서 자료들은 각각 링크에서 확인할 수 있다.

Si828x 버전 2는 다음과 같은 특징을 포함한다.

·4A 피크 게이트 구동 전류는 SiC FET 및 IGBT를 효율적으로 단속하며, EV 및 산업용 애플리케이션의 운영 비용을 절감
·향상된 CMTI(common mode transient immunity)를 통해 스위칭 전환 시간이 짧아지고 스위칭 주파수가 높아져, 시스템 전력 손실을 줄임
·추가적인 UVLO(undervoltage-lockout) 설정을 통해 SiC FET의 유연성을 향상하고 잘못 제어된 전원공급장치로부터 보호
·DC-DC 컨버터를 통합하고 있어 설계를 단순화하고 시스템 비용을 절감
·장애 발생 조건 감지 및 완화를 위해 FET 불포화 보호 제공
·기생 유발 슛-스루 조건을 제거하기 위한 밀러 클램프 포함

Si828x 버전 2 절연형 게이트 드라이버는 현재 공급 중이다. 자세한 내용은 홈페이지를 참조하면 된다.

테스트 보고서 확인: https://bit.ly/2SKyUC1
레퍼런스 디자인 관련 문서 자료 확인: https://bit.ly/3foRl6R
Si828x 버전 2 절연형 게이트 드라이버 관련 내용: http://www.silabs.com/si828x-isodriver

웹사이트: http://www.silabs.com