Micron, 2014 Symposia on VLSI technology and Circuits에서 최신 메모리 동향 및 고급 메모리 시스템 논의
- 6월 9~13일에 컨퍼런스에서 광실리콘의 벌크 CMOS통합 및 스토리지급 메모리 애플리케이션용 구리 ReRAM 셀 프리젠테이션
광실리콘의 벌크 CMOS 통합은 작동 중인 벌크 CMOS에 광실리콘을 통합하는 최초의 단일체 프로세스 플로우를 개발하게 된 Micron의 리서치 과정을 자세히 소개하게 된다. 이 리서치에 따르면, 광실리콘은 ‘무어의 법칙”을 뛰어 넘어 미래의 고성능 메모리 애플리케이션을 구현할 수 있다. 이런 노력은 완전한 광 프로세서-메모리 시스템을 구축하기 위한 방대한 프로젝트의 일환이며, 여기에는 MIT(Massachusetts Institute of Technology), UCB(University of Colorado Boulder) 및 UC버클리(University of California, Berkeley)의 리서치 팀들이 참여했다. 또한, 이 리서치는 DARPA(Defense Advanced Research Projects Agency)의 기금을 통해 수행되었다.
스토리지급 메모리용 구리 ReRAM 셀은 스토리지급 메모리를 비휘발성 캐시 또는 DRAM 데이터 백업으로 통합하는 하이브리드 메모리 시스템을 대상으로 한다. 따라서, DRAM 캐시보다는 밀도가 높고 스토리지 컨트롤 모듈 보다는 속도가 빠른 스토리지급 메모리를 구현하여 시스템 효율성이 증진되고 비용도 절감될 것으로 예상된다. 이 프레젠테이션에서 스토리지급 메모리 성능 사양을 충족시키는 ReRAM 셀 기술을 소개할 예정인데, 이는 1초당 200메가바이트의 쓰기와 1초당 1기가바이트의 읽기가 가능한 속도를 제공하는 16기가바이트 ReRAM이다. 이 작업은 Micron의 리서치 파트너인 Sony Corporation과 긴밀한 협업을 통해 개발되고 있다.
한편, Micron 임원진들은 3개의 VLSI 토론회에 참석한다. R&D 담당 부사장인 Scott DeBoer는 6월12일 ‘최신 반도체 산업 동향 및 의미 진단’에 패널로 참가한다. 수석 메모리 시스템 아키텍처 겸 부사장인 Ed Doller는 6월11일 ‘데이터센터 2020: 데이터 지향성 애플리케이션의 니어-메모리 가속화(Near-Memory Acceleration)’라는 Circuits Plenary Session에 참가한다. 마지막으로, Micron NAND Solutions Group의 아키텍처 담당 이사인 Mark Bauer는 6월12일 ‘미래의 혼합 신호, RF 및 메모리 회로의 도전과 과제’에 패널로 참석한다.
Micron 소개
Micron Technology, Inc.는 첨단 반도체 시스템을 공급하는 글로벌 리더이다. DRAM, NAND 및 NOR Flash 등 Micron의 방대한 고성능 메모리 기술은SSD, 모듈, 멀티칩 패키지 및 기타 시스템 솔루션의 토대가 되고 있다. 35년이 넘는 기술 리더십의 결과로 탄생한 Micron 메모리 솔루션은 세계 최고의 혁신적인 컴퓨팅, 소비재, 엔터프라이즈 스토리지, 네트워킹, 모바일, 임베디드 및 자동차 애플리케이션을 구현한다. Micron의 보통주는 NASDAQ에서 MU라는 약어로 거래되고 있다. Micron Technology, Inc.에 대한 자세한 정보는 홈페이지(www.micron.com)를 참조한다.
“Micron” 및 Micron 궤도 로고는 Micron Technology, Inc의 등록상표입니다. 기타 모든 상표는 각 소유자의 자산입니다.
웹사이트: http://www.micron.com
연락처
Daniel Francisco
Media Relations
이메일 보내기
(208) 368-5584
이 보도자료는 Micron Technology가(이) 작성해 뉴스와이어 서비스를 통해 배포한 뉴스입니다.
-
2014년 11월 19일 23:00
-
2014년 7월 28일 21:00