Micron Technology, Inc., 2012 회계 연도 3분기 실적 보고
DRAM 제품 매출액은 5800만 달러의 매출 악영향이 반영되었던 2012 회계 연도 2분기와 비교할 때 2012 회계 연도 3분기에 20 퍼센트 증가했는데, 이는 12 퍼센트 증가한 판매량과 7 퍼센트 증가한 평균 판매 단가로 인한 결과이다. NAND 플래시 제품 매출액은 약 40 퍼센트 증가한 판매량이 평균 판매 단가 감소에 의해 상쇄되어 2012 회계 연도 2분기에 비해 2012 회계 연도 3분기에 약간 증가했다. NOR 플래시 제품 매출액은 2012 회계 연도 3분기의 총매출액의 약 10 퍼센트를 차지했다. 2012 회계 연도 3분기 당사의 연결 기준 총마진 11 퍼센트는 2012 회계 연도 2분기에 비해 약간 높은 것이다. DRAM 및 NOR 플래시 제품 판매로 인한 마진 개선은 NAND 플래시 제품 판매로 인한 마진 감소에 의해 부분적으로 상쇄되었다.
2012 회계 연도 3분기 영업 활동 현금 흐름은 6억 8600만 달러로 당사가 최근 발표한 IM 플래시 활동 확장과 관련하여 Intel로부터 받은 고객 선수금을 포함한 액수이다. 2012 회계 연도 3분기 중 당사는 캡형 콜 거래 관련 비용 및 기타 비용을 포함하여 약 8억 7500만 달러의 전환 사채를 발행했으며, 약 3억 2500만 달러를 자본 지출 형태로 투자했다. 당사는 27억 달러의 현금 및 투자로 3분기를 마감했다.
당사는 재무 실적을 논의하기 위해 산지표준시(MST)로 6월 20일 수요일 오후 2시30분에 컨퍼런스 콜을 개최한다. 컨퍼런스 콜, 오디오와 슬라이드는 http://investors.micron.com/events.cfm을 통해 온라인으로도 접할 수 있다. 웹캐스트 재생은 당사 웹 사이트에서 2013년 6월 27일까지 이용 가능하다. 컨퍼런스콜의 녹음 재생은 산지표준시로 2012년 6월 20일 수요일 오후 5시30분부터 2012년 6월 27일 오후 5시30분까지(404) 537-3406 (컨퍼런스 번호: 90798592)로 전화하여 들을 수 있다.
Micron Technology, Inc.는 첨단 반도체 솔루션을 제공하는 세계 선두 업체 중 하나이다. 전세계적으로 첨단 컴퓨팅 및 소비자 제품, 네트워킹 제품, 임베디드 및 모바일 제품에 사용되는 모든 종류의 DRAM, NAND 플래시 및 NOR 플래시 메모리는 물론 기타 혁신적 메모리 기술 및 패키징 솔루션과 반도체 시스템을 제조 및 판매하고 있다. Micron의 보통주는 NASDAQ에서 MU라는 약어로 거래되고 있다. Micron Technology, Inc에 대한 자세한 정보는www.micron.com를 참조한다.
Micron Technology, Inc. 로고는 http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950에서 찾을 수 있다.
본 보도 자료와 함께 첨부된 재무제표를 참고하기 바란다.
(1) 기타 영업 (수입) 비용은 다음 항목으로 이루어졌다. 본 보도 자료와 함께 첨부된 재무제표를 참고하기 바란다.
상기 표에서 2012 회계 연도 3분기의 기타 영업 비용에는 당사의 조인트 벤처인 IM Flash Technologies, LLC (“IMFT”)의 리스 만료로 인한 1700만 달러와 전년도 일부 세금 문제 해결과 관련하여 대손 상각 처리한 1000만 달러가 포함되었다.
2011 회계 연도 1분기에 당사는 Samsung Electronics Co. Ltd. (“Samsung”)와 10년간에 걸친 특허 교차 사용 계약을 맺고 총 2억 7500만 달러의 현금을 받았다. 2012 회계 연도 3분기 및 첫 9개월간의 기타 영업 수입에는 이 계약으로 Samsung측으로부터 받은 각각 3500만 달러와 2억 7500만 달러의 현금 수입이 포함되었다. 사용권 범위는 현재 보유 중인 특허 및 애플리케이션은 특허 만료 시까지, 기타 모든 특허는 10년 기한이다.
2012 회계 연도 3분기에 당사는 일본 내 웨이퍼 제조 설비(“Japan Fab”)를 Tower Semiconductor Ltd.(“Tower”)에 매각했다. 이 과정에서 Tower측은 4000만 달러의 현금과 약 2000만 달러의 Tower 보통주 및 2000만 달러의 할부금을 지불하기로 합의했다. 이 거래와 관련하여 당사는 5400만 달러를 수입(순거래비용 3백만 달러)으로 처리했다.
(2) 2012년 4월 18일, 당사는 2032년 5월 1일이 만기인 5억 5천만 달러 규모의 2.375% 선순위 전환 사채(“2032C 채권”)와 2032년 5월 1일이 만기인4억 5천만 달러 규모의 3.125% 선순위 전환 사채(“2032D 채권”, 이하 2032C 채권과 합쳐 “2032 채권”)를 발행했다. 2032 채권의 발행 비용은 총 2100만 달러였다. 2032C 채권의 최초 전환율은 원금 1,000 달러당 보통주 103.8907주로, 이는 보통주당 약 9.63 달러의 전환가에 해당한다. 2032D 채권의 최초 전환율은 원금 1,000 달러당 보통주 100.1803주로, 이는 보통주당 약 9.98 달러의 전환가에 해당한다. 2032 채권의 발행과 관련하여 당사는 8억 5백만 달러를 부채로, 1억 9100만 달러를 추가 자본으로, 1700만 달러를 이연 사채 발행 비용으로 처리했다(기타 고정 자산에 포함). 개시 시점에 기록된 부채와 원금의 차이(2032C 채권의 경우 1억 4백만 달러, 2032D 채권의 경우 9200만 달러)는 채권의 예상 만기인 2032C 채권의 경우 2019년 5월, 2032D 채권의 경우 2021년 5월까지 이자 비용을 통해 원금에 가산된다.
2012 회계 연도 3분기에 당사는 2012년 6월 4일 서면 상환 고지를 통해 2013 선순위 전환 사채(“2013 채권”)의 상환을 요청했다. 2012년 5월 31일까지 2013 채권의 원금 중 2300만 달러가 보유자에 의해 440만 주로 전환되었다. 나머지 원금 1억 1600만 달러는 2012년 6월 중 보유자에 의해 2290만 주로 전환되었다. 당사는 상환 요청과 관련하여2013 채권을 전환한 2013 채권의 보유자에게 900만 달러의 “투자 보전 프리미엄”을 지불했으며, 이는 2012 회계 연도 3분기에 이자 비용으로 반영되었다.
2032C 및 2032D 채권 공모와 동시에 당사는 캡형 콜 거래(“2012C 캡 콜” 및 ”2012D 캡 콜") 를 개시하여 주당 최초 행사가 각각 약 9.80 달러 및 10.16 달러를 2032C 및 2032D 채권의 최초 전환가보다 약간 높게 조정했다. 2012C 및 2012D 캡 콜의 캡 가격 범위는 주당 약 14.26 달러에서 16.04 달러이다. 2012C 및 2012D 캡 콜은 2032C 및 2032D 채권 전환 시에 발생할 수 있는 희석 효과를 감소시키기 위한 것이다. 2012C 및 2012D 캡 콜은 자본 거래로 간주되며 관련 비용 1억 3백만 달러는 추가 자본 비용으로 기록되었다.
(3) 2012 회계 연도 2분기 기타 영업외 수입에는 고정 자본 투자 처분 순이익 3900만 달러가 포함되었다. 2011 회계 연도 3분기 기타 영업외 수입에는 2010 회계 연도 3분기 중 Numonyx 인수 관련 기록된 당사의 채무 보증 의무 종료로 인한 1500만 달러가 포함되었다. 2011 회계 연도 첫 9개월간의 기타 영업외 손실에는 일부 당사 전환 사채 보유자들과 일련의 채무 재조정에 관련하여 2011 회계 연도 1분기 중 인식된 1억 1100만 달러의 손실이 포함되었다.
(4) 2012 회계 연도 3분기 및 첫 9개월간의 법인세에는 종전에 불확실한 조세위험으로 유보 상태에 있던 전년도 일부 세금 관련 문제가 긍정적으로 해결된 데 관련된 각각 4200만 달러와 5600만 달러의 세금 혜택이 포함되었다. 2011 회계 연도 3분기의 법인세 항목에는 7400만 달러가 포함되었는데, 이중 2700만 달러는 Japan Fab 처분 이익과 관련된 것이며 4700만 달러는 당사의 일본 내 계열사의 이연세금자산에 대한 평가성 충당금으로 기록된 것이다. 2011 회계 연도 3분기 및 첫 9개월간의 법인세 항목에는 Samsung과의 계약 관련 각각 500만 달러와 4500만 달러의 납세액이 포함되었다. 2011 회계 연도 2분기의 법인세에는 일부 세율 변동 관련 이연세금자산을 1900만 달러 감소시키는 데 대한 납세액이 포함되었다. 2011 및 2012 회계 연도 3분기 및 첫 9개월간의 나머지 법인세는 주로 당사의 미국 외 영업 활동이 반영된 것이다. 당사는 미국 내 영업 활동 관련 순이연세금자산에 대한 평가성 충당금을 보유하고 있다. 2011 및 2012 회계 연도 3분기 및 첫 9개월간 당사의 미국 내 영업 활동 관련 법인세는 평가성 충당금의 변동에 의해 상당 부분 상쇄되었다.
(5) 현재 태양광 산업 분야가 전 세계적으로 어려운 환경이며 수요 공급 상황도 비우호적이므로, 2012년 5월 25일 당사의 지분법 투자사인 Transform Solar Pty Ltd. (“Transform”)의 이사회는 청산 계획을 승인했다. 청산 계획의 결과, 당사는 6900만 달러의 손실을 인식했으며 Transform 투자액은 0으로 감소했다.
(6) 2012년 2월 27일, 당사는Intel과 IM Flash Singapore, LLP (“IMFS”) 및 IMFT 합작 투자 관련 계약을 맺었다. 이 계약에 의한 거래는 2012년 4월 6일부터 발효된다. 이와 관련하여 당사는 IMFS의 Intel측 지분 18 퍼센트와 당사의 버지니아 웨이퍼 제조 설비 내에 위치한 IMFT의 자산을 인수했다. 그 결과, Intel은 총 6억 달러를 분배 받았다. 또한, Intel은 NAND 플래시 공급 계약에 따라 향후 NAND 플래시 제품 구매에 사용하거나, 상황에 따라 환불 받을 수 있는 3억 달러를 당사에 예치했다.
또한 본 계약에는 다음과 같은 사항이 포함된다.
- IMFT 합작 투자의 범위를 확장하여 일부 새롭게 대두되는 메모리 기술을 포함
- 당사가 Intel에 NAND 플래시 메모리 제품과 일부 새롭게 대두되는 메모리 제품을 비용 가산 방식(cost-plus basis)으로 공급하는 새로운 계약을 체결하고, 당사와 Intel에 대한 IMFS의 공급 계약을 종료
- IMFT 합작 투자 계약을 2024년까지 연장
- 2015년을 시작으로 Intel의 IMFT 지분을 Intel의 선택에 의해 당사에 매각하거나, 당사의 선택에 의해 Intel측으로부터 취득할 수 있는 구매-판매권(Intel이 그러한 선택을 하는 경우, 당사는 그러한 선택일로부터 2년 내에 거래 종료일을 선택할 수 있으며 Intel측으로부터 1년에서 2년까지 자금 융자를 받을 것을 선택할 수 있다).
버지니아에 위치한 IMFT 자산 인수와 관련하여 당사는 IMFS측과 체결한 버지니아 웨이퍼 제조 설비의 약 50 퍼센트에 대한 리스 계약을 종료했다. 그 결과, 2012 회계 연도 3분기의 기타 영업 손실에 1700만 달러의 비용이 포함되었다.
또한 당사는 Intel에 선순위 신용 약속 어음을 발행했다. 어음 발행 조건에 따라, 당사는 6500만 달러를 차입했으며 이는 이자와 함께 향후 2년에 걸쳐 분기별 균등 상환한다.
당사와 Intel은 일반적으로 IMFT 투자 지분에 따라 IMFT의 생산량과 일부 연구 개발 비용을 지속적으로 공유할 예정이다.
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이 보도자료는 Micron Technology가(이) 작성해 뉴스와이어 서비스를 통해 배포한 뉴스입니다.