Intel과 Micron, 세계 최초 128Gb NAND 디바이스 출시…64Gb 20nm NAND 대량 생산으로 NAND Flash Technology 리더십 강화

- 소형 폼팩터의 태블릿, 스마트폰, SSD 및 고성능 연산 장치에 이상적인 128Gb 디바이스 신제품

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2011-12-08 08:00

캘리포니아 산타클라라, 아이다호 보이시--(뉴스와이어)--Intel Corporation과 Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)는 오늘 세계 최초의 20 나노미터(nm), 128 기가바이트(Gb), 멀티레벨-셀(MLC) 디바이스를 선보이며 NAND 플래시 기술의 새로운 벤치마크를 마련했다고 밝혔다. 또한, 양사는 64Gb 20nm NAND의 대량 생산을 통해 NAND 프로세스 기술의 리더십을 더욱 확장할 것이라고 밝혔다.

Intel과 Micron의 합작 개발로 선보인 20nm의 일체식 128Gb 디바이스는 IMFT(IM Flash Technologies)에 기반하고 있으며, 업계 최초로 8개의 다이를 사용하여 손가락 끝 크기의 패키지에 1 테라바이트의 데이터를 저장할 수 있다. 또한, 기존의 20nm 64Gb NAND 디바이스의 저장 용량 및 성능을 2배로 확장한다. 128Gb 디바이스는 고성능 ONFI 3.0 사양을 충족시켜 초당 333 메가트랜스퍼(MT/s)의 속도를 구현함으로써 태블릿, 스마트폰 및 고용량 SSD와 같이 슬림하고 매끈한 형태의 제품 디자인에 필요한 비용 효과적인 SS(solid-state) 스토리지 솔루션을 고객들에게 제공할 수 있다.

Micron NAND Solutions Group의 부사장 Glen Hawk는 “휴대형 디바이스들이 더 작고 얇아지는 것과 함께 서버 요구는 늘어나면서, 당사의 고객들은 이러한 과제들을 해결하기 위한 혁신적이고 새로운 스토리지 기술과 시스템 솔루션을 Micron에서 찾고 싶어 한다”라면서, “Intel과 협력을 통해, 이러한 시스템을 구축하는 데 핵심적인 전문성과 선도적인 NAND 기술을 지속적으로 선보일 계획이다”라고 말했다.

또한, 양사는 20nm 프로세스 기술에 성공한 핵심 요인이 혁신적인 최신 셀 구조라고 밝혔는데, 이를 통해 전통 방식의 아키텍처보다 공격적인 셀 배율 조정이 가능하다. 양사의 20nm NAND는 업계 최초로 평면 셀 구조를 사용하여, 고급 프로세스 기술에 따른 고질적인 어려움을 극복하면서도 이전 세대와 동등한 성능 및 안정성을 제공한다. 평면 셀 구조는 최초로 Hi-K/금속 게이트 스택을 NAND 제조에 통합하여 표준 NAND 폴로팅 게이트 셀의 배율 한도를 넘어섰다.

Intel 부사장 겸 Intel Non-Volatile Memory Solutions Group 대표 이사 Rob Crooke은 “Intel과 Micron의 제조 팀에서 고밀도, 저비용, 연산 기능이 가능한 20nm NAND 디바이스를 성공적으로 제공하여 양사의 합작 개발에 따른 NAD 리더십을 지속적으로 확보하게 되어 기쁘다”고 말했다. 그는 “평면 셀 구조와 Hi-K/금속 게이트 스택을 활용하여, IMFT는 당사의 NAND 플래시 메모리 솔루션의 기술력을 더욱 고도화하여 새로운 제품과 서비스 그리고 폼 팩터를 선보일 것이다”라고 덧붙였다.

고용량 NAND 플래시 디바이스에 대한 수요는 데이터 스토리지의 증가, 클라우드 환경으로의 이전, 휴대형 디바이스의 보급화 등 3가지 시장 동향이 서로 맞물려서 갈수록 늘어나고 있다. 디지털 컨텐츠가 발전하면서, 사용자들은 여러 가지 디바이스에서 데이터를 사용하고, 클라우드를 통해 모든 데이터가 동기화되기를 기대하고 있다. 데이터를 효과적으로 스트리밍하려면, 서버는 NAND에서 제공하는 고성능 고용량 스토리지를 갖춰야 하고, 모바일 디바이스의 스토리지도 데이터 접속이 늘면서 계속 증가하는 추세이다. 고해상도 비디오는 고용량 스토리지가 필요한 애플리케이션 중 하나인데, 이런 유형의 데이터를 스트리밍하려면 사용자 체험이 좋지 않을 수 있기 때문이다. 하지만, 이번 제품 개발로 고성능의 소형 스토리지를 통해, 모바일 디바이스에서도 컨텐츠와 이를 제공하는 스토리지 서버를 사용하여 더 많은 기회를 창출할 수 있다.

Intel과 Micron은 20nm 64Gb NAND 플래시 제품을 12월부터 생산하기 시작하기 때문에, 2012년에 128Gb 디바이스로 빠르게 이전할 전망이다. 128Gb 디바이스의 샘플은 1월에 출시될 예정이며, 곧바로 2012년 전반기에 대량 생산에 돌입하게 된다. 이 획기적인 성과를 바탕으로 밀도와 전반적인 제조 결과를 크게 높이면서도, 양사의 개발 팀에서 복잡한 스토리지 솔루션을 디자인하고 미래의 기술을 개선하는 데 필요한 전문성을 확보하도록 지원할 방침이다.

Micron 소개

Micron Technology, Inc.는 첨단 반도체 솔루션을 제공하는 세계 선두 업체 중 하나로, 전세계적으로 최첨단 기술의 컴퓨팅 제품 및 소비재 제품, 네트워킹 제품, 내장 제품 및 휴대용 제품에 사용되는 획기적인 메모리 기술 및 패키징 솔루션과 반도체 시스템은 물론 모든 종류의 DRAM, NAND Flash 및 NOR Flash 메모리를 제조 및 판매하고 있습니다. Micron의 보통주는 NASDAQ에서 MU라는 약어로 거래되고 있습니다. Micron Technology, Inc에 대한 자세한 정보는 www.micron.com를 참조하시기 바랍니다.

(C)2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved. 정보는 고지 없이 변경될 수 있습니다. “Micron” 및 Micron 궤도 로고는 Micron Technology, Inc의 등록상표입니다. 기타 모든 상표는 각 소유자의 자산입니다.

Intel 소개

Intel(Nasdaq: INTC)은 컴퓨터 기능에 혁신을 이끄는 세계적인 기업입니다. 전세계 컴퓨터의 토대가 되는 가장 본질적인 기술을 설계하고 구축합니다. Intel에 관한 자세한 정보는 newsroom.intel.com 및 blogs.intel.com에서 찾아볼 수 있습니다.

Intel과 Intel 로고는 Intel Corporation이 미국 및 해외에서 사용하는 상표입니다. * 다른 명칭과 브랜드는 해당 기업의 자산에 귀속됩니다.

(C)2011 Micron Technology, Inc. 및 Intel Corporation. All rights reserved. 정보는 사전 통보없이 변경될 수 있습니다. Micron과 Micron 로고는 Micron Technology, Inc.의 상표입니다. 이 보도자료에는 20nm, 64Gb 및 128Gb NAND 디바이스 제조에 관한 계획이 포함되어 있습니다. 실제 이벤트 또는 결과는 이 내용에 포함된 것과 실질적으로 다를 수 있습니다. Micron에서 가장 최근에 발표한 Form 10-K 및 Form 10-Q를 비롯해 Securities and Exchange Commission과 함께 가끔씩 통합 기반을 마련하기 위해 모아 놓은 문서들을 참조하십시오. 이 문서에는 통합 기반에 따른 Micron의 실제 결과가 미래를 예측하여 작성한 내용과 실질적으로 달라지는 중요한 요인을 파악하여 그 내용을 담고 있습니다(일부 요인 참조). 당사는 이 미래 예측 자료에 반영된 기대치가 합리적인 수준이라고 믿으면서도 향후의 결과, 활동 수준, 성능 또는 성과를 보장하지는 않습니다.

사진은 Newscom, www.newscom.com 및 AP PhotoExpress를 통해 확인할 수 있습니다.

웹사이트: http://www.micron.com

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