베렉스, 40~5000MHz 광대역 저전력 증폭기 ‘BGH1’ 출시

칩 설계기업 베렉스가 새롭게 개발한 SOT-363 Package 증폭기 ‘BGH1’

40~5000MHz의 광대역이면서 구동 전압 3.3V의 저전력 제품

서울--(뉴스와이어)--칩 설계기업 베렉스가 GaAs HBT 기술로 40MHz~5000MHz 대역에서 무선 통신에 적합하며 3.3V 저전력으로 구동되고 성능이 우수한 Gain block 증폭기 ‘BGH1’을 출시했다.

BGH1은 외부 matching 소자의 필요 없이 사용할 수 있도록 내부에 50옴(Ω)으로 matching돼 있으며, ROHS2 규정을 만족시키고, SOT-363 SMT package를 사용한다.

기존 BGS1, BGS2 제품의 성능을 개선해 사용 주파수 범위를 5GHz까지 높였고, Gain (이득) 성능도 향상시켰다.

베렉스 마케팅 부문 신헌수 부장은 “BGH1은 저전력 증폭기로, 무선통신용 제품으로 개발됐다”며 “기존 제품인 BGS1, BGS2보다 1GHz 이상 사용주파수 범위를 높이고, Gain 성능도 개선함으로써 BGS1, BGS2를 대체해 국내 및 해외 무선 통신 장비에 폭넓게 사용 가능하도록 제작했다”고 말했다.

BGH1은 3.3V 전압에 31mA의 전류로 구동된다.

50MHz에서의 특성은 24dB Gain, 13.6dBm P1, 26.3dBm OIP3, 4dBm LTE ACLR(-50dBc) 성능이다. 또 900MHz에서 특성은 23.1dB Gain, 13.8dBm P1, 26.3dBm OIP3, 4dBm LTE ACLR(-50dBc)성능이다. 3.5GHz에서 특성은 17dB Gain, 11.8dBm P1, -0.5dBm 5GNR ACLR(-50dBc) 성능이다.

현재 국내는 무선 장비 부품의 수입 의존도가 높다. 이에 따라 베렉스의 이번 BGH1 개발은 무선장비 시장의 국산화 확대에도 기여할 것으로 기대된다.

베렉스는 RF용 갈륨비소, 갈륨질소, 실리콘-게르마니움 및 CMOS 기술을 이용해 5G용 부품을 개발해 세계 정상급 RF Semiconductor 회사로 진입한다는 목표를 갖고 있다.

베렉스 소개

베렉스는 이동통신용 화합물 반도체를 기획·개발·생산·판매하는 전문 벤처 기업으로 2004년 출범했으며, 통신 기지국에서 활용하는 무선통신 반도체(RFIC) 분야 특허를 다수 확보해 기술력으로 낮은 인지도를 극복하고 사업 영역을 넓혀오고 있다. 2007년 이후 매년 수익을 창출해 무차입 경영을 실시하고 있다. 2008년 미국 캘리포니아 산호세에 100% 자회사 BeRex, Inc.를 설립해 미국 레이더 위성통신장비 시장에 진입했으며, 2019년에는 캘리포니아 소재 옥토테크(Octotech)를 인수해 IoT용 반도체를 개발·생산·판매하고 있다. 현재는 화합물 반도체 외에 실리콘-게르마늄(SiGe) 반도체, 실리콘 절연막(Silicon-on-Insulator) 반도체 기술을 이용해 제품 및 시장 다변화를 하고 있다. 베렉스는 서울, 미국 산타클라라와 산타 아나 3곳에 연구소를 운영하고 있다. 베렉스는 현재 19개 제품군과 177개의 제품을 판매하고 있다. 또한 전 세계 22개국 수출 및 530명의 고객을 확보한 경영, 기획과 기술 혁신형 벤처기업이다.

웹사이트: https://www.berex.com/

연락처

베렉스
영업팀
조정철 이사
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